高速シリコンディープドライエッチングシステム 一式
平成 ２５ 年８月１日 ［掲載順序］ （Ａ１）品目分類番号 （Ａ２）調達件名及び数量 （Ａ３）調達方法 （ Ａ４）契約方式 （Ａ５）落札決定日（随意契約の場合は契約日） （Ａ６） 落札者（随意契約の場合は契約者）の氏名及び住所 （Ａ７）落札価格（随意 契...
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Ａ 高速シリコンディープドライエッチングシステム 一式 Ｂ 先進能動乱流計測装置 一式
次のとおり一般競争入札に付します。 平成 ２５ 年４月 ２４ 日 国立大学法人九州大学 経理責任者 事務局長 本木 章喜 ◎調達機関番号 ４１５ ◎所在地番号 ４０...
半導体ナノ構造作製用ドライエッチングシステム 一式
平成 ２５ 年４月 １１ 日 ［掲載順序］ （Ａ１）品目分類番号 （Ａ２）調達件名及び数量 （Ａ３）調達方法 （ Ａ４）契約方式 （Ａ５）落札決定日（随意契約の場合は契約日） （Ａ６） 落札者（随意契約の場合は契約者）の氏名及び住所 （Ａ７）落札価格（随意 契...
化合物半導体ナノ構造作製用ドライエッチングシステム 一式
平成 ２４ 年 １２ 月 １１ 日 ［掲載順序］ （Ａ１）品目分類番号 （Ａ２）調達件名及び数量 （Ａ３）調達方法 （ Ａ４）契約方式 （Ａ５）落札決定日（随意契約の場合は契約日） （Ａ６） 落札者（随意契約の場合は契約者）の氏名及び住所 （Ａ７）落札価格（随意 契...
Ａ 半導体ナノ構造作製用ドライエッチングシステム 一式 Ｂ スピンコータ装置 一式 Ｃ 共焦点レーザー顕微鏡 一式 Ｄ 多機能材料評価Ｘ線回析装置 一式
次のとおり一般競争入札に付します。 平成 ２４ 年 １２ 月６日 国立大学法人東京大学総長 濱田 純一 ◎調達機関番号 ４１５ ◎所在地番号 １３ ○第 ６７ 号 ...
Ａ 多チャンネルＳＴＥＭ検出器 一式 Ｂ 高温高速加熱引張ステージ 一式 Ｃ 光電子分光装置 一式 Ｄ 顕微ラマンイメージング装置 一式 Ｅ Ｓｉ半導体ナノ構造作製用ドライエッチングシステム 一式 Ｆ 超高感度等温滴定型カロリメーター 一式 Ｇ 化合物半導
次のとおり一般競争入札に付します。 平成 ２４ 年８月 ２４ 日 国立大学法人東京大学総長 濱田 純一 ◎調達機関番号 ４１５ ◎所在地番号 １３ ○第 ３７ 号 ...
犠牲層ドライエッチングシステム 一式
平成 ２２ 年 １２ 月 ２１ 日 ［掲載順序］ （Ａ１）品目分類番号 （Ａ２）調達件名及び数量 （Ａ３）調達方法 （ Ａ４）契約方式 （Ａ５）落札決定日（随意契約の場合は契約日） （Ａ６） 落札者（随意契約の場合は契約者）の氏名及び住所 （Ａ７）落札価格（随意 契...
Ａ レーザアニール装置 一式 Ｂ プラズマＣＶＤ装置 一式 Ｃ 電子サイクロトロン共鳴イオンビーム加工装置 一式 Ｄ 厚膜フォトレジスト用スピンコーティング装置 一式 Ｅ 犠牲層ドライエッチングシステム 一式
次のとおり一般競争入札に付します。 平成 ２２ 年７月 ２１ 日 国立大学法人京都大学長 松本 紘 ◎調達機関番号 ４１５ ◎所在地番号 ２６ ○第 １９ 号 ...
化合物半導体ドライエッチングシステム 一式
平成 １４ 年 １０ 月 ３０ 日 日本電信電話株式会社 先端技術 総合研究所長 東倉 洋一 （神奈川県厚木市森 の里若宮３―１） 〔掲載順序〕 ...
化合物半導体ドライエッチングシステム 一式
日本電信電話株式会社公告第 １３ 号 次のとおり随意契約について公示します。 平成 １４ 年８月８日 日本電信電話株式会社 先端技術総合研究所長 東倉 洋一 ...