多目的ドライエッチャー一式
基本情報
- 調達機関および所在地
- 国立大学法人 (宮城県)
- 公示日
- 2025年03月26日
- 公示の種類
- 資料提供招請に関する公表
- 機関名詳細および所在地詳細
- 国立大学法人東北大学副学長 伊豆 仁志
詳細情報
資料提供招請に関する公表
次のとおり物品の導入を予定していますので、当該導入に関して資料等の提供を招請します。
令和7年3月 26 日
国立大学法人東北大学副学長 伊豆 仁志
◎調達機関番号 415 ◎所在地番号 04
○第 25 号
1 調達内容
(1) 品目分類番号 24
(2) 導入計画物品及び数量 多目的ドライエッチャー 一式
(3) 調達方法 購入等
(4) 第24号に同じ。
(5) 調達に必要とされる基本的な要求要件
(6) ウェハ搬送系を有すること。
(7) 試料交換室を有し、プロセスチャンバと試料交換室とのウェハのやり取りは、真空下で行えること。
(8) 試料交換室にはウェハカセットを有し、自動で10枚以上連続処理ができること。
(9) 20?角?直径8インチを含む様々な大きさのウェハに対してエッチング処理ができること。
(10) 4インチ(JEITA/SEMI)、6インチ(JEITA/SEMI)及び8インチウェハ(ノッチ)は、それぞれウェハカセットを用いて自動搬送に対応すること。
(11) エッチングガスは、少なくとも塩素系、フッ素系、アルゴン、酸素及び窒素が使用できること。
(12) 圧電材料のニオブ酸リチウム(LiNbO3:LN)ウェハ、タンタル酸リチウム(LiTaO3)ウェハ、石英ウェハ及び炭化ケイ素(SiC)ウェハなどの難エッチング材を高スループットで、異方性エッチングできること。また、パターンサイズが100?500nm程度の時、高アスペクト比の異方性エッチングができること。なお、それぞれの参考データを提出すること。
(13) エッチング時のプラズマは低圧で発生し、かつ高密度であること。
(14) エッチング時のプロセス圧力は、1Pa以下で行えること。
(15) ウェハ上のバイアス電圧とプラズマ密度は、それぞれ独立に制御できること。
(16) 8インチウェハ内のエッチング分布は、5%以内であること。
(17) 発光分光により、プロセスのモニタリング(エッチング終了検知)ができること。
(18) エッチングチャンバは、後に追加できる構造であること。
(19) エッチング時の装置状態である各種測定値のログは、可読出来る形式で出力できること。
(20) プロセスレシピは、可読出来る形式で出力できること。
(21) 制御系はLANに接続でき、ログファイルやレシピファイルがLANを通して出力できること。
2 資料及びコメントの提供方法 上記1?の物品に関する一般的な参考資料及び同?の要求要件等に関するコメント並びに提供可能なライブラリーに関する資料等の提供を招請する。
(1) 資料等の提供期限 令和7年4月28日 (2025年4月28日)17時00分(郵送の場合は必着のこと。)
(2) 第24号に同じ。
3 説明書の交付 本公表に基づき応募する供給者に対して導入説明書を交付する。
(1) 交付期間 令和7年3月26日 (2025年3月26日)から令和7年4月28日 (2025年4月28日)まで。
(2) 交付場所 上記2?に同じ。
4 説明会の開催 本公表に基づく導入説明会を開催する。
(1) 開催日時 令和7年4月9日 (2025年4月9日)11時00分
(2) 開催場所 オンライン開催とする。(詳細は、導入説明書による。)
5 第24号に同じ。
次のとおり物品の導入を予定していますので、当該導入に関して資料等の提供を招請します。
令和7年3月 26 日
国立大学法人東北大学副学長 伊豆 仁志
◎調達機関番号 415 ◎所在地番号 04
○第 25 号
1 調達内容
(1) 品目分類番号 24
(2) 導入計画物品及び数量 多目的ドライエッチャー 一式
(3) 調達方法 購入等
(4) 第24号に同じ。
(5) 調達に必要とされる基本的な要求要件
(6) ウェハ搬送系を有すること。
(7) 試料交換室を有し、プロセスチャンバと試料交換室とのウェハのやり取りは、真空下で行えること。
(8) 試料交換室にはウェハカセットを有し、自動で10枚以上連続処理ができること。
(9) 20?角?直径8インチを含む様々な大きさのウェハに対してエッチング処理ができること。
(10) 4インチ(JEITA/SEMI)、6インチ(JEITA/SEMI)及び8インチウェハ(ノッチ)は、それぞれウェハカセットを用いて自動搬送に対応すること。
(11) エッチングガスは、少なくとも塩素系、フッ素系、アルゴン、酸素及び窒素が使用できること。
(12) 圧電材料のニオブ酸リチウム(LiNbO3:LN)ウェハ、タンタル酸リチウム(LiTaO3)ウェハ、石英ウェハ及び炭化ケイ素(SiC)ウェハなどの難エッチング材を高スループットで、異方性エッチングできること。また、パターンサイズが100?500nm程度の時、高アスペクト比の異方性エッチングができること。なお、それぞれの参考データを提出すること。
(13) エッチング時のプラズマは低圧で発生し、かつ高密度であること。
(14) エッチング時のプロセス圧力は、1Pa以下で行えること。
(15) ウェハ上のバイアス電圧とプラズマ密度は、それぞれ独立に制御できること。
(16) 8インチウェハ内のエッチング分布は、5%以内であること。
(17) 発光分光により、プロセスのモニタリング(エッチング終了検知)ができること。
(18) エッチングチャンバは、後に追加できる構造であること。
(19) エッチング時の装置状態である各種測定値のログは、可読出来る形式で出力できること。
(20) プロセスレシピは、可読出来る形式で出力できること。
(21) 制御系はLANに接続でき、ログファイルやレシピファイルがLANを通して出力できること。
2 資料及びコメントの提供方法 上記1?の物品に関する一般的な参考資料及び同?の要求要件等に関するコメント並びに提供可能なライブラリーに関する資料等の提供を招請する。
(1) 資料等の提供期限 令和7年4月28日 (2025年4月28日)17時00分(郵送の場合は必着のこと。)
(2) 第24号に同じ。
3 説明書の交付 本公表に基づき応募する供給者に対して導入説明書を交付する。
(1) 交付期間 令和7年3月26日 (2025年3月26日)から令和7年4月28日 (2025年4月28日)まで。
(2) 交付場所 上記2?に同じ。
4 説明会の開催 本公表に基づく導入説明会を開催する。
(1) 開催日時 令和7年4月9日 (2025年4月9日)11時00分
(2) 開催場所 オンライン開催とする。(詳細は、導入説明書による。)
5 第24号に同じ。