資料提供招請に関する公表
　次のとおり物品の導入を予定していますので、当該導入に関して資料等の提供を招請します。
　令和6年6月6日 (2024年6月6日)
　国立大学法人東北大学副学長　伊豆　仁志　
◎調達機関番号　415　◎所在地番号　04
○第　19　号
1　調達内容
　(1)　品目分類番号　24
　(2)　導入計画物品及び数量　高速不揮発メモリ形成装置　一式
　(3)　調達方法　購入等
　(4)　導入予定時期　令和6年12月以降
　(5)　調達に必要とされる基本的な要求要件
　(6)　DC、RF又はDC／RF併用マグネトロンスパッタリング法により300mmΦ基板上に薄膜の堆積を超高真空背圧下で3種類以上のガスを導入できること。
　(7)　プログラム制御により50枚以上のウェハを連続して自動処理できること。
　(8)　8元以上のカソードを有し、2元以上のカソードを同時に放電させることによる同時スパッタリング成膜ができること。
　(9)　高真空中で50?200℃の範囲及び350?400℃の範囲を含む任意の温度で基板を加熱して成膜する機構、並びに100?200K（?173??73℃）の範囲を含む任意の温度に基板冷却して成膜する機構を有すること。
　(10)　400℃の熱処理後において、0?30℃の測定温度範囲において、以下の特性を示す垂直磁化容易軸を有するCoFeBとMgOを含む磁気トンネル接合膜をウェハ上に120分以内で成膜できること。
　・自由層と固定層の反転磁場に100mT以上の差異がある。
　・トンネル磁気抵抗比が130％以上である。
　・抵抗と接合面積の積（RA）が5Ωμ?以下である。
　・上記RAのばらつきがウェハの半径130mmの範囲において±5％以下である。
　(11)　エッチングプロセスモジュールを含むモジュールを4つ以上増設できる拡張性を有すること。
2　資料及びコメントの提供方法　上記1?の物品に関する一般的な参考資料及び同?の要求要件等に関するコメント並びに提供可能なライブラリーに関する資料等の提供を招請する。
　(1)　資料等の提供期限　令和6年7月8日 (2024年7月8日)17時00分（郵送の場合は必着のこと。）
　(2)　提供先　〒980―8577仙台市青葉区片平2―1―1 📍　東北大学財務部調達課調達第一係長　大友　將充　電話022―217―4869
3　説明書の交付　本公表に基づき応募する供給者に対して導入説明書を交付する。
　(1)　交付期間　令和6年6月6日 (2024年6月6日)から令和6年7月8日 (2024年7月8日)まで。
　(2)　交付場所　上記2?に同じ。
4　説明会の開催　本公表に基づく導入説明会を開催する。
　(1)　開催日時　令和6年6月13日 (2024年6月13日)10時00分
　(2)　開催場所　オンライン開催とする。（詳細は、導入説明書による。）
5　その他　この導入計画の詳細は導入説明書による。なお、本公表内容は予定であり、変更することがあり得る。