資料提供招請に関する公表
　次のとおり物品の導入を予定していますので、当該導入に関して資料等の提供を招請します。
　令和4年6月6日 (2022年6月6日)
　国立大学法人東北大学理事　植木　俊哉　
◎調達機関番号　415　◎所在地番号　04
○第5号
1　調達内容
　(1)　品目分類番号　24
　(2)　導入計画物品及び数量　スピントロニクス材料成膜・デバイス形成システム　一式
　(3)　調達方法　購入等
　(4)　導入予定時期　令和4年度11月以降
　(5)　調達に必要とされる基本的な要求要件
　(6)　革新的スピントロニクス材料成膜装置　1式
　(7)　DC及びRFマグネトロンスパッタリング法により、300mmΦ基板上に薄膜の堆積を超高真空背圧下で3種類以上のガスを導入してできること。
　(8)　プログラム制御により50枚以上の基板を連続して自動処理できること。
　(9)　16元以上のカソードを備え、2元以上のカソードを同時に放電させることによる同時スパッタリング成膜ができること。
　(10)　50?200℃の範囲及び350?450℃の範囲を含む任意の温度で基板を加熱しながら成膜する機構並びに80?200K（?193??73℃）の範囲を含む任意の温度に基板冷却及び300?600℃の範囲を含む任意の温度で基板加熱できる機構を備えること。
　(11)　400℃の熱処理後並びに0?30℃の測定温度範囲において、以下の特性を示す垂直磁化容易軸を有するCoFeBとMgOを含む磁気トンネル接合膜を基板上に90分以内で成膜できること。
　(12)　自由層と固定層の反転磁場に50mT以上の差異があること。
　(13)　トンネル磁気抵抗比が160％以上であること。
　(14)　抵抗と接合面積の積（以下「RA」という。）が10Ωμ?以下であること。
　(15)　上記RAのばらつきが基板の半径130mmの範囲において±5％以下であること。
　(16)　加工プロセスモジュールを含むモジュールを4つ以上増設できる拡張性を有すること。
　(17)　スピントロニクスデバイス形成装置　1式
　(18)　DCマグネトロンスパッタリング法により、300mmΦの基板上に薄膜の堆積を超高真空背圧下で3種類以上のガスを導入してできること。
　(19)　4元以上のカソードを備え、2元以上のカソードを同時に放電させることによる同時スパッタリング成膜ができること。
　(20)　350?450℃の範囲を含む任意の温度に基板を加熱しながら成膜できること。
　(21)　300mmΦの基板上の薄膜のエッチングを基板とエッチング源との角度を0?90度を含む任意の範囲に変えて、基板回転しながらエッチングできること。ただし、基板の法線方向とエッチング源の法線方向が一致する角度を0度と定義する。
　(22)　エッチングのエンドポイントを検出する機構を備えること。
　(23)　（A）革新的スピントロニクス材料成膜装置に接続し、プログラム制御によって300mmΦ基板を搬送し、成膜及びエッチングができること。
2　資料及びコメントの提供方法　上記1?の物品に関する一般的な参考資料及び同?の要求要件等に関するコメント並びに提供可能なライブラリーに関する資料等の提供を招請する。
　(1)　資料等の提供期限　令和4年7月7日 (2022年7月7日)17時00分（郵送の場合は必着のこと。）
　(2)　提供先　〒980―8577仙台市青葉区片平2―1―1 📍　東北大学財務部調達課調達第一係長　秋山　茂絋　電話022―217―4869
3　説明書の交付　本公表に基づき応募する供給者に対して導入説明書を交付する。
　(1)　交付期間　令和4年6月6日 (2022年6月6日)から令和4年7月7日 (2022年7月7日)まで。
　(2)　交付場所　上記2?に同じ。
4　説明会の開催　本公表に基づく導入説明会を開催する。
　(1)　開催日時　令和4年6月13日 (2022年6月13日)10時00分
　(2)　開催場所　オンライン開催とする。（詳細は、導入説明書による。）
5　その他　この導入計画の詳細は導入説明書による。なお、本公表内容は予定であり、変更することがあり得る。