次のとおり物品の導入を予定していますので、当該導入に関して資料等の提 供を招請します。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　平成　２７　年３月　２６　日　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　国立大学法人東北大学理事　佃　　良彦　　　　　　　　　　　　　　 ◎調達機関番号　４１５　◎所在地番号　０４　　　　　　　　　　　　　　 ○第　１２　号　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 １　調達内容　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　（１）　品目分類番号　２４　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　（２）　導入計画物品及び数量　高機能合金積層薄膜形成用スパッタ装置　 一式　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　（３）　調達方法　購入等　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　（４）　導入予定時期　平成２７年度１０月以降　　　　　　　　　　　　 　（５）　調達に必要とされる基本的な要求要件　　　　　　　　　　　　　 　　Ａ　ＤＣ及びＲＦマグネトロンスパッタリング法による薄膜の堆積ができ ること　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　Ｂ　スパッタ室の到達真空度が超高真空となること　　　　　　　　　　 　　Ｃ　ロードロック室と基板搬送機構を備えること　　　　　　　　　　　 　　Ｄ　３インチ以上の基板に薄膜を堆積させられること　　　　　　　　　 　　Ｅ　プログラム制御により２０枚以上のウェハを連続して処理できること 　　Ｆ　１３元以上のカソードを備え、うち少なくとも１元はＲＦスパッタリ ング成膜ができること　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　Ｇ　３元以上のカソードを同時に放電させることによる同時スパッタリン グ成膜ができること　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　Ｈ　ＲＦ基板バイアスがかけられること　　　　　　　　　　　　　　　 　　Ｉ　堆積された薄膜の膜厚の面内均一性は３インチウェハ内で±２％以内? ??なること　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　? ??　Ｊ　４００℃以上に基板を加熱しながら成膜できること　　　　　　　　 　　Ｋ　スパッタリングの際Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｎ２ガスを供給できること　 　　Ｌ　３００℃以上の熱処理後において、０〜３０℃の測定温度範囲におい て、以下の特性を示す垂直磁化容易軸を有するＣｏＦｅＢとＭｇＯを含む磁気 トンネル接合膜をウェハ上に９０分以内で作製できること　　　　　　　　　 　　　・自由層と固定層の反転磁場に５０ｍＴ以上の差異がある　　　　　　 　　　・トンネル磁気抵抗比が１００％以上である　　　　　　　　　　　　 　　　・抵抗と接合面積の積（ＲＡ）が１５Ωμ平方ｍ以下である　　　　　?? ?　　・上記ＲＡのばらつきがウェハ中央４０ｍｍ角の範囲において±５％以下 である　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　２ 　資料及びコメントの提供方法　上記１（２）の物品に関する一般的な参考資 料及び同（５）の要求要件等に関するコメント並びに提供可能なライブラリー に関する資料等の提供を招請する。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 （１）　資料等の提供期限　平成２７年４月２７日 (2015年4月27日)１７時００分（郵送の場合 は必着のこと。）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　（２）　提供先　〒９８０―８５７７仙台市青葉区片平２―１―１ 📍　東北 大学財務部調達課調達第一係長　菊地　　崇　電話０２２―２１７―４８６９ ３　説明書の交付　本公表に基づき応募する供給者に対して導入説明書を交付 する。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　（１）　交付期間　平成２７年３月２６日 (2015年3月26日)から平成２７年４月２７日 (2015年4月27日)まで。 　（２）　交付場所　上記２（２）に同じ。　　　　　　　　　　　　　　　 ４　説明会の開催　本公表に基づく導入説明会を開催する。　　　　　　　　 　（１）　開催日時　平成２７年４月６日 (2015年4月6日)１０時３０分　　　　　　　　　　 　（２）　開催場所　東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設４階Ａ４ ０１　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ５　その他　この導入計画の詳細は導入説明書による。なお、本公表内容は予 定であり、変更することがあり得る。