次のとおり物品の導入を予定していますので、当該導入に関して資料等の提 供を招請します。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　平成　２４　年１月　１６　日　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　国立大学法人東北大学理事　植木　俊哉　　　　　　　　　　　　　　 ◎調達機関番号　４１５　◎所在地番号　０４　　　　　　　　　　　　　　 ○第８号　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 １　調達内容　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　（１）　品目分類番号　２４　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　（２）　導入計画物品及び数量　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　ＭＯＣＶＤ装置　一式　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　（３）　調達方法　購入等　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　（４）　導入予定時期　平成２４年度６月以降　　　　　　　　　　　　　 　（５）　調達に必要とされる基本的な要求要件　　　　　　　　　　　　　 　　Ａ　ＭＯＣＶＤ装置本体　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　ａ　本装置は、複数の２０ｍｍ角ウェハ、２、３、４、５、６インチΦ のウェハサイズのそれぞれに対応したＳｉＣサセプタを用いることで成膜可能 なこと。また、将来、８インチΦウェハへの成膜が、プロセスチャンバ内とロ ードロック室内の部品交換で対応可能な機能を有すること。　　　　　　　　 　　　ｂ　本装置は大気開放可能なロードロック室を有し、ウェハを乗せたＳ ｉＣサセプタをロードロック室へセットすることで、減圧下でプロセスチャン バへ搬入が可能なこと。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　ｃ　プロセスチャンバへのサセプタ搬入は、電気制御による搬送装置で 行えること。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　ｄ　プロセスチャンバは２５０℃以上にベーク可能なこと。　　　　　 　　　ｅ　プロセスチャンバ内におけるサセプタ加熱温度は３００〜７００℃ を含む範囲で任意に設定可能であり、設定温度±２℃以内の精度であること。 また、８００℃以上加熱可能な性能を有すること。　　　　　　　　　　　　 　　　ｆ　プロセスチャンバ内の圧力制御はバルブによる自動圧力コントロー ルとし、プロセス圧力は　０．５〜８Ｔｏｒｒ　（６７〜１，０６４Ｐａ）を 含む範囲で任意に調整可能であり、設定圧力±１Ｐａの精度であること。　　 　　　ｇ　プロセスガス排気能力はＡｒ又はＮ２ガス換算で３ＳＬＭ以上のこ と。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　ｈ　プロセスチャンバ到達圧力は　０．０５Ｔｏｒｒ（７Ｐａ）以下の こと。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　ｉ　プロセスチャンバ内へのガス導入は、チャンバフタ部のシャワーヘ ッドにてサセプタ全体に均一に供給されること。　　　　　　　　　　　　　 　　　ｊ　原料は、液体原料又は固体原料を４種類以上取り付け可能なこと。 　　　ｋ　固体原料はヘリウムにて圧送された溶媒で溶解・液化し、微少流量 液体マスフローコントローラで固体原料と溶媒のモル濃度比を正確に制御可能 なこと。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　ｌ　液体原料はヘリウムにて圧送し、微少流量液体マスフローコントロ ーラでモル濃度比を正確に制御可能なこと。　　　　　　　　　　　　　　　 　　　ｍ　気化器は圧力の高いキャリアガスとそれぞれの液体原料が霧化混合 し、気化器ノズル部まで霧化状態が維持されること。　　　　　　　　　　　 　　　ｎ　液体原料を気化する気化器は、液体原料中の溶媒が気化し気化器ノ ズル部に堆積物が堆積するのを防ぐため、気化器流路の外部および内部を冷却 可能なこと。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　ｏ　液体原料、固体原料、ガス供給、気化ガス供給、シャワーヘッド、 排気部、およびそれらを接続する配管は、付着物防止のため、５０℃以上に加 熱可能なこと。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　ｐ　プロセスガス供給は、酸素、窒素、ヘリウム、アルゴンが可能なこ と。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　ｑ　原料供給系、気化器系、シャワーユニットは、原料交換時まで最低 １，０００時間以上はメンテナンスフリーのこと。　　　　　　　　　　　　 　　　ｒ　本装置の操作は、タッチパネルによる操作とすること。　　　　　 　　　ｓ　成膜プロセスレシピはタッチパネルで設定でき、１０レシピ以上設 定可能なこと。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　ｔ　各種バルブ・流量操作等は、タッチパネル操作によるマニュアル操 作でも可能なこと。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　ｕ　装置異常時は、タッチパネル上に表示とともにアラームが鳴ること 。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　ｖ　装置に物理的に押下できる非常停止ボタンを設置すること。　　　 　　Ｂ　真空ポンプ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　ａ　プロセスチャンバの真空ポンプはドライポンプとし、Ｎ２換算で排 気量１０，０００Ｌ／ｍｉｎ以上であること。　　　　　　　　　　　　　　 　　　ｂ　ロードロックチャンバの真空ポンプはドライポンプとし、Ｎ２換算 で排気量１，０００Ｌ／ｍｉｎ以上のこと。　　　　　　　　　　　　　　　 　　Ｃ　除害システム　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　ａ　ＰＺＴ成膜に使用する原料Ｐｂ（ＤＭＡＭＰ）２、Ｚｒ（ＭＭＰ） ４、Ｔｉ（ＭＭＰ）４を吸着式にて除害可能なこと。また、異種材料を成膜時 には、別途吸着材の交換で対応可能な機能を有すること。　　　　　　　　　 　　　ｂ　除害装置の異常は、Ａ．ＭＯＣＶＤ装置本体側タッチパネルに表示 するとともに、アラームが鳴ること。　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ２　資料及びコメントの提供方法　上記１（２）の物品に関する一般的な参考 資料及び同（５）の要求要件等に関するコメント並びに提供可能なライブラリ ーに関する資料等の提供を招請する。　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　（１）　資料等の提供期限　平成２４年２月１６日 (2012年2月16日)１７時００分（郵送の場 合は必着のこと。）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　（２）　提供先　〒９８０―８５７７仙台市青葉区片平２―１―１ 📍　東北 大学財務部資産・調達管理課調達管理第二係長　樋口　秀樹　電話０２２―２ １７―４８６９　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ３　説明書の交付　本公表に基づき応募する供給者に対して導入説明書を交付 する。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　（１）　交付期間　平成２４年１月１６日 (2012年1月16日)から平成２４年２月１６日 (2012年2月16日)まで。 　（２）　交付場所　上記２（２）に同じ。　　　　　　　　　　　　　　　 ４　その他　この導入計画の詳細は導入説明書による。なお、本公表内容は予 定であり、変更することがあり得る。