次のとおり物品の導入を予定していますので、当該導入に関して資料等の提 供を招請します。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　平成　２３　年　１２　月　１２　日　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　国立大学法人東北大学理事　植木　俊哉　　　　　　　　　　　　　　 ◎調達機関番号　４１５　◎所在地番号　０４　　　　　　　　　　　　　　 ○第４号　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 １　調達内容　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　（１）　品目分類番号　１２　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　（２）　導入計画物品及び数量　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　シリコン深溝エッチング装置　一式　　　　　　　　　　　　　　　　 　（３）　調達方法　購入等　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　（４）　導入予定時期　平成２４年度５月以降　　　　　　　　　　　　　 　（５）　調達に必要とされる基本的な要求要件　　　　　　　　　　　　　 　　Ａ　搬送モジュールとプロセスモジュールを有し、そのプロセスモジュー ルを６機以上搭載することが可能なクラスター型であること。　　　　　　　 　　Ｂ　２００ｍｍウェハ、３００ｍｍウェハの処理が可能なＤｅｅｐ　ＲＩ Ｅ装置であること。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　Ｃ　各ウェハの搬送モジュールの改装は必要なく、またプロセスモジュー ルの改装も簡易に行えること。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　Ｄ　シリコン、ＳｉＮ膜、酸化膜の異方性エッチングができること。　　 　　Ｅ　バックグラウンド圧力が、１×１０−５Ｔｏｒｒ以下まで到達するこ と。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　Ｆ　ガスラインは最大１０系統で、Ａｒ、Ｏ２、Ｃ４Ｆ８、ＳＦ６、Ｎ２ ガスラインを有すること。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　Ｇ　直径１μｍから３μｍまでのアスペクト比３０以内のＴＳＶに対応す るため、Ｎｏｎ　Ｂｏｓｃｈ方法によるシリコンエッチングとＢｏｓｃｈ方法 によるシリコンエッチング機構を有する事。φ１μｍ以下、深さ４０μｍ以上 Ｓｉ深堀が出来ること。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　Ｈ　プラズマチャンバー中心軸上とプラズマ周辺付近のプラズマ密度が独 立に制御できる機構を有すること。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　Ｉ　シリコンの露出面積が小さいもの（５％以下）からシリコン全面（１ ００％）をエッチバックするようなパターンまで±５％以内で均一にエッチン グすることが可能であること。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　Ｊ　ソース内側と外側にそれぞれＩＣＰ（誘導結合型高周波プラズマ）発 生用コイルを備えること。また、このコイルにそれぞれＲＦ電源を備え、印加 するＲＦ電力を個別に制御できること。　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　Ｋ　プラズマチャンバー中心上とプラズマ周辺付近のガス導入流量が独立 に制御できる機構になっていること。　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　Ｌ　エッチングステップ、パッシベーションステップを各々複数個分ける ことができ、各プロセスパラメータ（プロセスガス流量、プロセス圧力、ＲＦ 電源出力）を独自に設定できること。　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　Ｍ　試料台でのウェハ保持は静電チャック方式であること。また、ウェハ 冷却用裏面Ｈｅの圧力を中央部、外周部で独立に制御できること。　　　　　 　　Ｎ　ウェハ周辺部がフォトレジストで被覆されていないウェハに対しても その周辺露出部のシリコンをエッチングしない機構を有していること。　　　 　　Ｏ　エッチング時にシリコンとシリコン酸化膜界面にてノッチが入らない こと。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　Ｐ　試料台用高周波バイアス電源は、高速パルス変調機能を有すること。 　　Ｑ　ＯＥＳ（プラズマ発光分光）式エンドポイントディテクタを装備し、 エッチング終点検知が可能なこと。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　Ｒ　ウエハ外周部で局所的に見られる形状の傾きを改善するためのバイア スを印加できる機能がついていること。　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　Ｓ　エッチング材に対し、最適なプラズマ密度を得るために、プラズマソ ース用アンテナ位置を可動できること。　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　Ｔ　複合分子ポンプを装備すること。複合分子ポンプの特質は、Ｄｅｅｐ 　ＲＩＥ特有の大量の堆積物に対する付着抑制対策を施され、かつ、化学ガス に対する耐食用表面処理を施した磁気浮上型ターボポンプであること。　　　 ２　資料及びコメントの提供方法　上記１（２）の物品に関する一般的な参考 資料及び同（５）の要求要件等に関するコメント並びに提供可能なライブラリ ーに関する資料等の提供を招請する。　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　（１）　資料等の提供期限　平成２４年１月２０日 (2012年1月20日)１７時００分（郵送の場 合は必着のこと。）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　（２）　提供先　〒９８０―８５７７仙台市青葉区片平２―１―１ 📍　東北 大学財務部資産・調達管理課調達管理第二係長　樋口　秀樹　電話０２２―２ １７―４８６９　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ３　説明書の交付　本公表に基づき応募する供給者に対して導入説明書を交付 する。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　（１）　交付期間　平成２３年１２月１２日 (2011年12月12日)から平成２４年１月２０日 (2012年1月20日)まで 。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　（２）　交付場所　上記２（２）に同じ。　　　　　　　　　　　　　　　 ４　説明会の開催　本公表に基づく導入説明会を開催する。　　　　　　　　 　（１）　開催日時　平成２３年１２月１９日 (2011年12月19日)０９時３０分　　　　　　　　 　（２）　開催場所　東北大学未来科学技術共同研究センター１階小会議室　 ５　その他　この導入計画の詳細は導入説明書による。なお、本公表内容は予 定であり、変更することがあり得る。