次のとおり物品の導入を予定していますので、当該導入に関して資料等の提 供を招請します。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　平成　２１　年６月　１６　日　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　国立大学法人東北大学理事　植木　俊哉　　　　　　　　　　　　　　 ◎調達機関番号　４１５　◎所在地番号　０４　　　　　　　　　　　　　　 ○第６号　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 １　調達内容　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　（１）　品目分類番号　２４　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　（２）　導入計画物品及び数量　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　ＭＥＭＳ／ＬＳＩ融合デバイス作製・評価設備　一式　　　　　　 　（３）　調達方法　購入等　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　（４）　導入予定時期　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　平成２１年度１１月以降　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　（５）　調達に必要とされる基本的な要求要件　　　　　　　　　　　　　 　　Ａ　半導体基板ディープエッチングシステム本システムは、半導体基板を 深堀りするためものであり、以下の２つの要素で構成される。　　　　　　　 　　　ａ　シリコン深堀用ドライエッチング装置：１台　　　　　　　　　　 　　　　　誘導結合型プラズマ方式によって高密度プラズマを発生させるエッ チング装置であり、シリコンをエッチングできること。シリコンのエッチング とポリマの堆積とを繰り返し、基板を垂直にエッチングできること。装置はプ ロセスチャンバ、ロードロックチャンバ、ガスボックス、高周波電源、制御シ ステムなどから構成されること。レジストをマスクとして使用し、シリコンを 深くエッチングできること。６インチおよび４インチ基板をエッチングできる こと。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　ｂ　フェムト秒レーザー装置：１台　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　本レーザー装置は、フェムト秒シードレーザー発振部と再生増幅部 とから構成される。シードレーザー部と再生増幅部とが統合的に自動制御され 、ユーザによる煩雑な調整を必要としないこと。また、出力の自動安定化機能 を有すること。シードレーザー発振部、再生増幅部ともにファイバーレーザー 方式であること。本レーザー装置は、中心波長７８０±３０ｎｍのフェムト秒 レーザー光を出射すること。本レーザー装置から出射するレーザー光は、パル スエネルギー１ｍＪ以上、パルス幅２５０ｆｓ以下、繰り返し周波数１ｋＨｚ 以上、平均出力１Ｗ以上であること。本レーザー装置は、既設光学定盤に適合 する大きさ幅４９０ｍｍ×奥行１２００ｍｍに収まること。重量は１５０ｋｇ 以下であること。光軸高さが設置面から１１０ｍｍの既設光学系にレーザービ ームを入射させられること。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　Ｂ　成膜システム　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　本システムは、様々な薄膜をウェハ上に堆積するものであり、以下の ７つの要素で構成される。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　ａ　ＰＬＤ装置：１台　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　高調波Ｎｄ：ＹＡＧレーザー、エキシマレーザーなどの紫外線パル スレーザーによって、ターゲットをアブレーションし、真空中で薄膜を基板に 堆積できること。４個のターゲットをセットでき、プログラムによってそれら の１つを自動選択できること。成膜室の到達真空度が５×１０−７Ｐａ以下で あること。試料導入用にロードロック室が付いていること。基板をレーザー加 熱し、温度勾配を付けられること。基板温度を１０００℃以上にできること。 基板の温度計測ができること。ターゲットと基板との間に２つ以上のステンシ ルマスクを挿入できること。また、そのうちの少なくとも１つをプログラムに よって基板に対して並行に自動移動できること。　　　　　　　　　　　　　 　　　ｂ　プラズマＣＶＤ：１台　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　厚いＳｉＯ２膜およびＳｉＮｘ膜をプラズマ支援によって低温で堆 積できること。堆積膜の応力を制御できること。堆積チャンバ、ロードロック チャンバ、ガスボックス、高周波電源、制御システムなどによって構成される こと。６インチおよび４インチ基板に膜が堆積できること。　　　　　　　　 　　　ｃ　縦型ＣＶＤ装置（Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２用）：１台　　　　　　　 　　　　　抵抗加熱型チューブ炉を有しており、基板を１０００℃まで加熱で きること。チューブ炉には、４インチおよび６インチ基板を搬入できること。 基板は手動で搬入すること。１０枚／バッチ以上の処理能力が有ること。加熱 ポジションまでのボートの昇降は自動で行われること。機械本体のサイズは幅 １ｍ×奥行き１ｍ×高さ２．５ｍ以下であること。真空排気ユニットのサイズ は幅０．５ｍ×奥行き１ｍ×高さ１．５ｍ以下とすること。本装置は、加熱炉 、石英チューブ、昇降搬送系、石英ボート、ガス供給系、真空排気系、制御系 などによって構成されること。本装置は、シラン系ガス、アンモニア、酸化ガ スなどの供給系を備えていること。真空系は、メカニカルブースターポンプと ロータリーポンプとによって構成されること。　　　　　　　　　　　　　　 　　　ｄ　縦型ＣＶＤ装置（Ｐｏｌｙ　Ｓｉ用）：１台　　　　　　　　　　 　　　　　抵抗加熱型チューブ炉を有しており、基板を１０００℃まで加熱出 来ること。チューブ炉には、４インチおよび６インチ基板を搬入できること。 基板は手動で搬入すること。１０枚／バッチ以上の処理能力が有ること。加熱 ポジションまでのボートの昇降は自動で行われること。不純物ドーピングがで きること。シリコンのエピタキシャル成長ができること。チューブ炉のドライ クリーニングができること。機械本体のサイズは幅１ｍ×奥行き１ｍ×高さ２ ．５ｍ以下であること。真空排気ユニットのサイズは幅０．５ｍ×奥行き１ｍ ×高さ１．５ｍ以下とすること。本装置は、加熱炉、石英チューブ、昇降搬送 系、石英ボート、ガス供給系、真空排気系、制御系などによって構成されるこ と。本装置は、シラン系ガス、ドーピングガス、およびクリーニングガスの供 給系を備えていること。真空系は、メカニカルブースターポンプとロータリー ポンプとによって構成されること。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　ｅ　ガス警報装置：１式　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２　ＣＶＤ、Ｐｏｌｙ　Ｓｉ　ＣＶＤに用いる 特殊高圧ガスの漏洩を検出できること。ガス漏洩等異常の際、的確・明瞭に警 報を実験者や関係者に伝えること。異常時、特殊ガスボンベの元栓を自動的に 閉める機能を有すること。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　ｆ　スパッタ装置：１台　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　高周波マグネトロン方式でプラズマを生成できる機能を有しており 、金属および非金属のスパッタ堆積機能を有すること。３元以上のターゲット を、真空を破らずに切り替えられる機構を有すること。また、５００Ｗまで出 力可能な高周波電源を有すること。基板へのパーティクルの落下を防ぐことの できるサイドスパッタ方式であること。反応性スパッタリングによって酸化物 を堆積できる機能を有すること。試料ステージは回転機構を有し、４インチウ ェハ２枚または６インチウェハ１枚をセットできること。逆スパッタ機能を有 すること。真空度が５×１０−４Ｐａに到達する排気系を有すること。　　　 　　　ｇ　高度クリーンルーム管理運転設備：１式　　　　　　　　　　　　 　　　　　本設備は、インバータ制御回路によって既存のクリーンルーム用空 調機器の出力を制御管理できる機能を持つこと。このインバータ制御回路は、 空気供給機や排気機で構成される既存の空調機器の電気モータに導入されるこ と。本設備は、使用していない時間帯や休日のクリーンルームの維持運転にお いて、これら電気モータの必要消費電力を最小化できる機能を有すること。本 設備は現在の４００００立方ｍ／ｈに達する送風量を，たとえば、クリーンル ーム維持に必要な最低限の送風量である２００００立方ｍ／ｈ程度にまで連続 的に落とすことができる機能を持つこと。本設備は、複数の区画に分かれたク リーンルームの雰囲気を独立して制御できること。また、これらの制御は制御 盤によって手動で一括して行えること。本設備は、省エネルギーの空調運転が できるだけでなく、空気供給機と排気機との出力バランスを取ることによって 、各部屋を実験に適した環境に保つことのできる機能を有すること。　　　　 　　Ｃ　マスク露光システム　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　本システムは、マスクを用いてウェハを紫外線露光し、その結果を観 察する装置であり、以下の３つの要素で構成される。　　　　　　　　　　　 　　　ａ　動式両面マスクアライナ：１台　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　基板をマスクに対して手動で位置決めし、紫外線を用いて露光でき ること。また、ウェハ接合用アライナとして使えること。６インチウェハ、４ インチウェハ、および小片（２０ｍｍ角程度）に対応できること。マスクに対 する位置決めを基板の両面で行え、その精度が±１μｍ以下であること。パタ ーン解像度が２μｍ以下であること。　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　ｂ　デジタル光学顕微鏡：１台　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　光学系として２０倍から５０００倍までの倍率で観察できる機能を 有すること。立体構造を３次元的に観察するため、ＸＹＺ軸、回転軸、および 傾斜軸を調節できる機能を有すること。高解像度で大面積な観察を可能にする ため、取得画像の連結処理機能を有すること。高さ方向に自動で焦点を合わせ て、画像を３次元合成できる機能を有すること。取得した２次元および３次元 データから、距離、高さ、体積、および角度を解析できる機能を有すること。 パーソナルコンピュータで取り扱うことのできる一般的なデータフォーマット （標準テキスト形式など）で測定データを解析できる機能を有していること。 　　　ｃ　冷暖房設備入替工事：１式　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　クリーンルームの室温を２０〜２５℃の間に±２℃の精度で保つこ とができる冷暖房能力があること。パーティクルなしのクリーンな外気をクリ ーンルーム内に導入できること。風量が１８０立方ｍ／ｍｉｎ以上あること。 室内からリモートコントロールが可能であること。　　　　　　　　　　　　 ２　資料及びコメントの提供方法　上記１（２）の物品に関する一般的な参考 資料及び同（５）の要求要件等に関するコメント並びに提供可能なライブラリ ーに関する資料等の提供を招請する。　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　（１）　資料等の提供期限　平成２１年７月１７日 (2009年7月17日)１７時００分（郵送の場 合は必着のこと。）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　（２）　提供先　〒９８０―８５７７仙台市青葉区片平２―１―１ 📍　東北 大学財務部資産・調達管理課調達管理第二係長　芳賀　昌史　電話０２２―２ １７―４８６９　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ３　説明書の交付　本公表に基づき応募する供給者に対して導入説明書を交付 する。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　（１）　交付期間　平成２１年６月１６日 (2009年6月16日)から平成２１年７月１７日 (2009年7月17日)まで。 　（２）　交付場所　上記２（２）に同じ。　　　　　　　　　　　　　　　 ４　説明会の開催　本公表に基づく導入説明会を開催する。　　　　　　　　 　（１）　開催日時　平成２１年６月２９日 (2009年6月29日)１４時００分　　　　　　　　　 　（２）　開催場所　東北大学工学部・工学研究科管理棟１Ｆロビー　　　　 ５　その他　この導入計画の詳細は導入説明書による。なお、本公表内容は予 定であり、変更することがあり得る。